半导体制造商罗姆的第4代SiC应用于纯电动汽车逆变器

据外媒报道，半导体制造商罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。据悉，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。