Nexperia 携手里卡多开发氮化镓电动汽车逆变器

Nexperia宣布与里卡多建立合作伙伴关系，将开发基于氮化镓(GaN)的逆变器，以应于电动汽车，并进行相关技术的展示。

GaN是电动汽车逆变器的首选技术，因为氮化镓场效应电晶体管(GaNFET)使电动汽车系统能以更低成本获得更高效率，而且系统热性能更佳且整流更简单。用汽车术语来讲，这意味着汽车里程更远——里程是想买电动汽车的人最关心的问题。作为插电式混动车或纯电动汽车驱动（电机）逆变器的首选技术，现在SiC或硅基绝缘栅门极晶体管（IGBT）正处于被GaN取代的边缘。

去年，Nexperia宣布了一系列经AEC-Q101批准的GaN器件，该高效技术为汽车设计师提供了一个不断扩大的产品组合，其中所有产品都经过验证且性能可靠，从而为动力系统提供电气化所需的功率密度。作为一家全球工程创新公司，里卡多在汽车行业备受尊重，业务涉及汽车设计及概念咨询，包括原型机和验证机制造，且与包括迈凯伦（McLaren）和布加迪（Bugatti）在内的多家高端知名品牌开展合作。里卡多是Nexperia在该项目中的最佳合作伙伴。

Nexperia中负责开发GaN的总经理MichaelLeGoff评论道：“通过里卡多将我们的GaN件设计入逆变器并使用，我们能够更好地了解如何安全、可靠地驾驶车辆。我们开发的这个解决方案，很多汽车设计师期待已久，而且他们如获至宝。”

里卡多技术与产品总监AdrianGreaney补充道：“半导体技术是逆变器系统效率的关键，而且在电动汽车性能和效率方面发挥重要作用。氮化镓堪称真正的使能技术，它能够在整流速度和效率方面带来显著效益。除了扩大里程，还有助于减小逆变器大小和重量，使动力系统具备更大灵活性，且有助于减轻汽车重量。从系统层面考虑逆变器设计时，还有更多相关好处。因此，里卡多很高兴与Nexperia开展氮化镓器件合作。”（来源：里卡多上海）

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